- 位移传感器外径/内径资料
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位移传感器外径/内径资料
外径 / 内径
这些传感器测量圆柱体的外径。虽然此处用以参考的测量为单轴,但可进行双轴或更多轴的测量。
测量内径有两种方法:光透式测量仪器和接触式测量仪器。1D光透法
LS系列此方法测量目标物的外径。超高速采样使其还可以测量外径和偏转。
选择要点
- 测量稳定且具有超高精度
- 快速、非接触式测量
- 可测量透明目标物
超高速/高精度测微计
LS-9000系列2D光透法
TM系列本系列可测量目标物的内径。
由于像投影机一样采集物体图像,因此可实现多轴测量和真圆度测量。选择要点
- 可同时进行多点测量
- 可稳定检测
TM-3000系列位移传感器外径/内径资料
型号
SI-F1003V
SI-FA103
独立型
SI-F1003/SI-FD500
类型
主控制器一体型
扩展控制器*3
可连接的光谱单元数
2
1
显示
zui小显示单位
0.001 µm
无
显示范围
±999.999 µm 至 ±9,999.99 mm,(可选 7 种设定)
显示周期
10 次/秒
端子台
激光远程联锁输入
无电压输入*1
无*1
定时 1 输入
无电压输入 2*1
复位 1 输入
无电压输入*1
自动调零1 输入
激光控制输入
模拟电压输出
±10 V x 2 输入,输出阻抗: 100 Ω*1
±10 V x 1 输入,输出阻抗: 100 Ω*1
模拟电流输出
4 至 20 mA x 2 输出,zui大负载阻抗: 350 Ω*1
4 至 20 mA x 1 输出,zui大负载阻抗: 350 Ω*1
警报输出
NPN 开集输出(N.C.)*1
无*1
分光干涉式晶片厚度计SI-F80R 系列采用近红外 SLD,即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异,也可实现准确的线上测量。
分光干涉式晶片厚度计SI-F80R 系列采用近红外 SLD,即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异,也可实现准确的线上测量。